闪存芯片革新时代：SK海力士、半导体公司官宣突破200层限制

7月26日，英国美亮科技透露将开始成货其最先进的NANDRAIDROM，也是首家同年年初将NANDROM扩展到最多200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也年初开发计划成一款最多200层的RAIDROM。

美亮的RAIDROM由232层打印单元分成，样本频宽将比其上新一代176层的ROM短时间50％，且封装宽度比前几代产品还要小28％。该ROM将主要瞄准器人工智能和机器学习等以样本为区域内的教育领域，做到其低延迟和高吞吐量的需求。

韩国SK海力士新公司今日也年初，开发计划成超200层的NANDRAIDROM。该款ROM由238层打印单元分成，比美亮的同类型ROM还要多装6层。

据SK海力士指，238层ROM是其宽度最小的NANDRAIDROM，样本频宽和功率比上新一代进一步提高了50％，读取样本耗用的能量也增大了21％。

SK海力士这款同类型ROM将在2023年上半年开始量产；而美亮则透露将于2022年底开始量产232层NAND。

八层趋高趋好

NANDRAID几乎应用与所有主要的静电终端中都，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。RAID受不受的产品欢迎的两个重要因素，一是生产厂成本，二就是打印密度。

而自2013年松下设计成垂直复合单元关键技术后，ROM的八层超群之前是亦同NANDRAIDROM厂商相互竞争的重点。

与CPU和GPU仍在相互竞争减小集成电路密度、用非常粗糙的关键技术极低ROM精度各有不同，在NAND的产品，以外，想要极低打印密度，增高八层就是关键。因此，NANDRAID从以前的24层一路上升，的发展到今日的200多层。

不过也有专家透露，在RAIDROM教育领域，各个厂家都有各自的关键技术架构和的发展路线图，并不完全一致，各家都有各家的关键技术手工特色。在低层级的时候，3D复合确实能够总体进一步进一步提高RAID的精度，但是随着八层的增高，精度进一步进一步提高也但会遭遇瓶颈，并不需要在关键技术、生产厂成本和精度密切关系寻找一个平衡。总体而言，八层的领先并不能象征性RAID关键技术上的绝对领先，还是示范生产厂成本和精度来看。

美亮232层NAND使用了与松下第七代RAID近似于的“双堆栈”关键技术。将232层分为两以外，每以外116层，从一个深窄的上端开始复合。通过电子元件和导电的交替层大块，用材料装入上端，并加工产生比特打印以外，从而工业用成成品ROM。

而大块和装入跨趋所有复合层的上端，就被选为了NANDRAID八层增高的关键技术过关。

200层的决心

以外，大多数的RAIDROM仍在生产厂100+八层的ROM，但众多生产厂企业对200层的生产厂手工都是跃跃欲试。

以前在2019年，SK海力士就做成过大胆假设，在2025年推成500层复合产品，并在2032年实现800层以上。

当年稍以前，英国西部样本与商业伙伴东洋铠侠指，将很短时间推成最多200层的BiCS+寄存器ROM，预定在2024年同年面世。

策划八层相互竞争的松下静电也被曝将在当年底推成200层以上的第八代NANDRAID，专业人士猜测较宽224层，频宽和生产厂稳定性将进一步提高30％。

近现代RAID后起之秀——长江打印，据新闻界指也但会在当年从128层突破到232层，在年底实现量产。但长江打印并未发表意见发表意见。

今日全球的RAID格局，松下静电虽是关键技术的奠基者并在过去之前领导的产品的发展，但在200层以上的相互竞争上，略落后于美亮与SK海力士。这两家新公司入局虽晚，但关键技术的发展势头很猛，在关键技术上可能保持领先优势。

而未来，据中欧出名半电子元件研究行政部门IMEC视为，1000层的NANDRAID也不是很远，或在10年内就但会成现。八层之争依旧是NANDRAID的主旋律，就看能否有人弯道超车了。

来源：财联社